8N50/F8N50/B8N50/D8N50

8A 500V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET

Ці покращені N-канальні vdmosfet, отримані за допомогою саморегульованої планарної технології, яка зменшує втрати провідності, покращує продуктивність перемикання та підвищує енергію лавини. Що відповідає стандарту RoHS.

2 Особливості

● Швидке перемикання

● Покращені можливості ESD

● Низький опір (Rdson≤0,9Ω)

● Низький заряд затвора (тип: 24nC)

● Низька ємність зворотного перенесення (тип: 7 пФ)

● 100% одноімпульсне тестування енергії лавини

● 100% тест ΔVDS

3 Додатки

● Використовується в різних схемах перемикання потужності для мініатюризації системи та підвищення ефективності.

● Схема вимикача живлення електронного баласту та адаптера.

VDSS	RDS(увімкнено)(TYP)	ID
500В	0,72 Ом	8A