brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Produkty » MOSFET » 400V-1500V N MOS » 8N50/F8N50/B8N50/D8N50

načítavanie

Zdieľať s:
tlačidlo zdieľania na facebooku
tlačidlo zdieľania na Twitteri
tlačidlo zdieľania linky
tlačidlo zdieľania wechat
prepojené tlačidlo zdieľania
tlačidlo zdieľania na pintereste
tlačidlo zdieľania whatsapp
zdieľať toto tlačidlo zdieľania

8N50/F8N50/B8N50/D8N50

8A 500V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
Dostupnosť:
Množstvo:

8A 500V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET

Tieto N-kanálové vylepšené vdmosfety sa získavajú samo-zarovnanou planárnou technológiou, ktorá znižuje stratu vedenia, zlepšuje spínací výkon a zvyšuje lavínovú energiu. Čo je v súlade s normou RoHS.

2 Vlastnosti

● Rýchle prepínanie

● Vylepšená schopnosť ESD

● Nízky odpor (Rdson≤0,9Ω)

● Nízke nabitie brány (Typ: 24 nC)

● Nízke kapacity spätného prenosu (Typ: 7pF)

● 100% test lavínovej energie s jedným impulzom

● 100 % test ΔVDS

3 Aplikácie

● Používa sa v rôznych výkonových spínacích obvodoch na miniaturizáciu systému a vyššiu účinnosť.

● Obvod vypínača elektrónového predradníka a adaptéra.


VDSS RDS(zapnuté)(TYP) ID
500 V 0,72Ω 8A


Predchádzajúce: 
Ďalej: 
  • Prihláste sa na odber nášho newslettera
  • pripravte sa na budúce,
    prihláste sa na odber nášho bulletinu, aby ste dostávali aktualizácie priamo do vašej doručenej pošty