Razpoložljivost: | |
---|---|
Količina: | |
8A 500V N-kanalni način izboljšanja moči MOSFET
Te N-kanale, izboljšane VDMOSFET-je, dobimo s samovredno planarno tehnologijo, ki zmanjšuje izgubo prevodnosti, izboljšuje zmogljivost preklopa in izboljšuje energijo plazov. Ki ustreza standardu ROHS.
2 značilnosti
● Hitro preklapljanje
● ESD izboljšana sposobnost
● Nizko odpornost (rdson≤0,9Ω)
● Nizka naboj vrat (Typ: 24NC)
● Kapacitivnosti z nizkim povratnim prenosom (Typ: 7PF)
● 100% enojni preskus energije z enim impulzom
● 100% ΔVDS test
3 aplikacije
● Uporablja se v različnih preklopnih vezjih za sistemsko miniaturizacijo in večjo učinkovitost.
● Vklopno stikalo elektronskega balasta in adapterja.
VDS | RDS (ON) (Typ) | Id |
500V | 0,72Ω | 8a |
8A 500V N-kanalni način izboljšanja moči MOSFET
Te N-kanale, izboljšane VDMOSFET-je, dobimo s samovredno planarno tehnologijo, ki zmanjšuje izgubo prevodnosti, izboljšuje zmogljivost preklopa in izboljšuje energijo plazov. Ki ustreza standardu ROHS.
2 značilnosti
● Hitro preklapljanje
● ESD izboljšana sposobnost
● Nizko odpornost (rdson≤0,9Ω)
● Nizka naboj vrat (Typ: 24NC)
● Kapacitivnosti z nizkim povratnim prenosom (Typ: 7PF)
● 100% enojni preskus energije z enim impulzom
● 100% ΔVDS test
3 aplikacije
● Uporablja se v različnih preklopnih vezjih za sistemsko miniaturizacijo in večjo učinkovitost.
● Vklopno stikalo elektronskega balasta in adapterja.
VDS | RDS (ON) (Typ) | Id |
500V | 0,72Ω | 8a |