saatavuus: | |
---|---|
Määrä: | |
8a 500 V N-kanavan parannusmoodi Power Mosfet
Nämä N-kanavainen parannetut VDMOSFET: t saavat itse kohdistuneella tasomaisella tekniikalla, joka vähentää johtamishäviötä, parantaa kytkentä suorituskykyä ja parantaa lumivyöryenergiaa. Joka sopii ROHS -standardiin.
2 ominaisuutta
● Nopea kytkentä
● ESD parannettu kyky
● Matala vastus (rdson≤0,9Ω)
● Matala portin varaus (TYP: 24NC)
● Matala käänteinen siirtokapasitions (TYP: 7PF)
● 100% yhden pulssin lumivyöryenergiatesti
● 100% AVDD -testi
3 sovellusta
● Käytetään erilaisissa virrankytkentäpiirissä järjestelmän miniaturisointiin ja suurempaan tehokkuuteen.
● Elektronien liitäntälaitteen ja sovittimen virtakytkin.
VDSS | RDS (ON) (TYP) | Henkilöllisyystodistus |
500 V | 0,72Ω | 8a |
8a 500 V N-kanavan parannusmoodi Power Mosfet
Nämä N-kanavainen parannetut VDMOSFET: t saavat itse kohdistuneella tasomaisella tekniikalla, joka vähentää johtamishäviötä, parantaa kytkentä suorituskykyä ja parantaa lumivyöryenergiaa. Joka sopii ROHS -standardiin.
2 ominaisuutta
● Nopea kytkentä
● ESD parannettu kyky
● Matala vastus (rdson≤0,9Ω)
● Matala portin varaus (TYP: 24NC)
● Matala käänteinen siirtokapasitions (TYP: 7PF)
● 100% yhden pulssin lumivyöryenergiatesti
● 100% AVDD -testi
3 sovellusta
● Käytetään erilaisissa virrankytkentäpiirissä järjestelmän miniaturisointiin ja suurempaan tehokkuuteen.
● Elektronien liitäntälaitteen ja sovittimen virtakytkin.
VDSS | RDS (ON) (TYP) | Henkilöllisyystodistus |
500 V | 0,72Ω | 8a |