8N50/F8N50/B8N50/D8N50

8A 500 V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET

Nämä N-kanavaiset parannetut vdmosfetit on saatu itsekohdistetun tasomaisen tekniikan avulla, joka vähentää johtavuushäviöitä, parantaa kytkentäsuorituskykyä ja lisää lumivyöryenergiaa. Joka on RoHS-standardin mukainen.

2 Ominaisuudet

● Nopea vaihto

● Parannettu ESD-ominaisuus

● Pieni resistanssi (Rdson≤0,9Ω)

● Matala portin lataus (Tyyppi: 24nC)

● Alhaiset paluusiirtokapasitanssit (Tyyppi: 7pF)

● 100 % yhden pulssin lumivyöryenergiatesti

● 100 % ΔVDS-testi

3 Sovellukset

● Käytetään erilaisissa tehonkytkentäpiireissä järjestelmän pienentämiseksi ja tehokkuuden parantamiseksi.

● Elektroniliitäntälaitteen ja sovittimen virtakytkinpiiri.

VDSS	RDS(päällä)(TYP)	ID
500V	0,72Ω	8A