Доступность: | |
---|---|
Количество: | |
8A 500V N-канальный режим режима мощности Power Mosfet
Эти N-канальные улучшенные VDMOSFETS получают с помощью самоопределенной плоской технологии, которая снижает потерю проводимости, повышает производительность переключения и повышает энергию лавины. Который согласуется со стандартом ROHS.
2 функции
● Быстрое переключение
● Улучшенная ESD улучшенная способность
● Низкое сопротивление (rdson≤0,9 Ом)
● Заряд с низким затвором (тип: 24NC)
● Низкие емкости обратного переноса (тип: 7pf)
● 100% тест на электроэнергию с одним импульсной лавиной
● Тест 100% ΔVDS
3 приложения
● Используется в различных цепи переключения питания для миниатюризации системы и более высокой эффективности.
● Цепь переключателя питания электронного балласта и адаптера.
VDSS | RDS (ON) (тип) | ИДЕНТИФИКАТОР |
500 В. | 0,72 Ом | 8а |
8A 500V N-канальный режим режима мощности Power Mosfet
Эти N-канальные улучшенные VDMOSFETS получают с помощью самоопределенной плоской технологии, которая снижает потерю проводимости, повышает производительность переключения и повышает энергию лавины. Который согласуется со стандартом ROHS.
2 функции
● Быстрое переключение
● Улучшенная ESD улучшенная способность
● Низкое сопротивление (rdson≤0,9 Ом)
● Заряд с низким затвором (тип: 24NC)
● Низкие емкости обратного переноса (тип: 7pf)
● 100% тест на электроэнергию с одним импульсной лавиной
● Тест 100% ΔVDS
3 приложения
● Используется в различных цепи переключения питания для миниатюризации системы и более высокой эффективности.
● Цепь переключателя питания электронного балласта и адаптера.
VDSS | RDS (ON) (тип) | ИДЕНТИФИКАТОР |
500 В. | 0,72 Ом | 8а |