8n50 / f8n50 / b8n50 / d8n50

8A 500V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet Mosfet

ဤ N-channel ကိုတိုးမြှင့် vdomosfets များကို Self-Aligned Planar နည်းပညာဖြင့်ရရှိသော Self-alignal loss loss သည် switching performance ကိုတိုးတက်စေရန်နှင့်ပြိုလဲစွမ်းအင်ကိုမြှင့်တင်ပေးသည်။ အရာ rohs စံနှင့်အတူသဘောတူညီချက်။

အင်္ဂါရပ် 2 ခု

●မြန်ဆန်စွာ switching

● ESD တိုးတက်လာသောစွမ်းရည်

●ခုခံခြင်းအပေါ်အနိမ့်ဆုံး (RDSON≤0.9ω)

●ဂိတ်အနိမ့်အနိမ့် (24nc)

●ပြောင်းပြန်လွှဲပြောင်းငွေပမာဏ (typ: 7PF)

● 100% တစ်ခုတည်းသွေးခုန်နှုန်း avalanche စွမ်းအင်စမ်းသပ်မှု

● 100% δvdsစမ်းသပ်မှု

3

● System Miniaturization နှင့်ပိုမိုမြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်အတွက်ပါဝါခလုတ်အမျိုးမျိုးတွင်အသုံးပြုသည်။

●အီလက်ထရွန်လှေနှင့် adapter ၏ power switch condit ။