8N50/F8N50/B8N50/D8N50

8A 500V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Aceste vdmosfeturi îmbunătățite cu canal N, sunt obținute prin tehnologia plană auto-aliniată, care reduce pierderea de conducție, îmbunătățește performanța de comutare și sporește energia de avalanșă. Ceea ce este în conformitate cu standardul RoHS.

2 Caracteristici

● Comutare rapidă

● Capacitate îmbunătățită ESD

● Rezistență scăzută (Rdson≤0,9Ω)

● Încărcare scăzută de poartă (Tip: 24 nC)

● Capacitate scăzute de transfer invers (Tip: 7pF)

● Test de energie de avalanșă cu un singur impuls 100%.

● Test ΔVDS 100%.

3 Aplicații

● Folosit în diferite circuite de comutare a puterii pentru miniaturizarea sistemului și eficiență mai mare.

● Circuitul comutatorului de alimentare al balastului electronic și al adaptorului.

VDSS	RDS(activat)(TYP)	ID
500V	0,72Ω	8A