8N50/F8N50/B8N50/D8N50

8a 500V N-canal Modo de aprimoramento de energia MOSFET

Esses VDMOSFETs aprimorados de canal N são obtidos pela tecnologia plana auto-alinhada que reduz a perda de condução, melhora o desempenho da comutação e aprimora a energia da avalanche. Que de acordo com o padrão ROHS.

2 recursos

● Comutação rápida

● Capacidade aprimorada de ESD

● Baixa resistência (rdson≤0,9Ω)

● Carga baixa do portão (Tip: 24NC)

● Capacitâncias de transferência reversa baixa (tip: 7pf)

● Teste de energia de avalanche de pulso 100% único

● Teste 100% ΔVDS

3 aplicações

● Utilizado em vários circuitos de comutação de energia para miniaturização do sistema e maior eficiência.

● Circuito de troca de energia do reator de elétrons e adaptador.