MOSFET di potenza a giunzione eccellente a canale N da 25 A 650 V DHSJ25N65F TO-220C

MOSFET di potenza a super giunzione a canale N da 25 A 650 V

1 Descrizione 

Questo vdmosfet potenziato a canale N utilizza la tecnologia e il design avanzati della super giunzione per fornire un eccellente Rdson con una bassa carica di gate. Che è conforme allo standard RoHS. 

2 Caratteristiche 

● Commutazione rapida

● Bassa resistenza 

● Carica di gate bassa 

● Basse capacità di trasferimento inverso 

● Test energetico da valanga a impulso singolo al 100%. 

● Test ΔVDS al 100%. 

3 applicazioni 

● Correzione del fattore di potenza (PFC). 

● Alimentatori a commutazione (SMPS). 

● Gruppo di continuità (UPS). 

● Convertitori CA-CC 

● Telecomunicazioni, solare

VDSS	RDS(acceso)(TIPO)	ID
650 V	110 mΩ	25A