MOSFET de potencia de súper unión de canal N de 25A 650V DHSJ25N65F TO-220C

MOSFET de potencia de súper unión de canal N de 25 A y 650 V

1 Descripción 

Este vdmosfets mejorado de canal N utiliza tecnología y diseño avanzados de superunión para proporcionar un Rdson excelente con una carga de puerta baja. Lo cual cumple con el estándar RoHS. 

2 características 

● Cambio rápido

● Baja resistencia 

● Cargo de puerta bajo 

● Bajas capacitancias de transferencia inversa. 

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100% 

● Prueba 100% ΔVDS 

3 aplicaciones 

● Corrección del factor de potencia (PFC). 

● Fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS). 

● Sistema de alimentación ininterrumpida (UPS). 

● Convertidores de CA a CC 

● Telecomunicaciones, energía solar

VDSS	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
650V	110mΩ	25A