25A 650V N-Kanal-Super-Junction-Leistungs-MOSFET DHSJ25N65F TO-220C

25 A 650 V N-Kanal-Super-Junction-Leistungs-MOSFET

1 Beschreibung 

Dieser N-Kanal-verstärkte VDMAsfets nutzt fortschrittliche Super-Junction-Technologie und -Design, um exzellenten Rdson mit niedriger Gate-Ladung bereitzustellen. Was dem RoHS-Standard entspricht. 

2 Funktionen 

● Schnelles Umschalten

● Geringer Widerstand 

● Niedrige Gate-Ladung 

● Geringe Rückübertragungskapazitäten 

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest 

● 100 % ΔVDS-Test 

3 Anwendungen 

● Leistungsfaktorkorrektur (PFC). 

● Schaltnetzteile (SMPS). 

● Unterbrechungsfreie Stromversorgung (USV). 

● AC-DC-Wandler 

● Telekommunikation, Solar

VDSS	RDS(ein)(TYP)	AUSWEIS
650V	110 mΩ	25A