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25 A 650 V SiC-Schottky-Barrierediode DCET20D65G3 TO-263-2 DCET20D65G3
N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 10A 600V 10N60 10N60
5A 500V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 5N50 5N50
180 A 60 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DHS015N06 TO-220C DHS015N06 TO-220C 60V 180A Donghai+DHS015N06&DHS015N06E+Datenblatt+Rev.1.0.pdf
16A 650V N-Kanal-Super-Junction-Leistungs-MOSFET DHSJ21N65Z PDFN4(8*8) DHSJ21N65Z PDFN4(8*8) 650V 16A Donghai DHSJ21N65Z Datenblatt V1.0(1).pdf
N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 13 A 500 V E13N50 TO-263 E13N50 TO-263 500V 13A 英文版E13N50术规格书.pdf
N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 7A 700V B7N70 TO-251B B7N70 TO-251B 700V 7A 英文版B7N70术规格书.pdf
10,6 A 650 V N-Kanal-Super-Junction-Leistungs-MOSFET DJF380N65T TO-220F DJF380N65T TO-220F 650V 10,6A Geräte-DJF380N65T-Spezifikation Rev.1.0.pdf
80A 1200V Fast-Recovery-Diode MUR80120 TO-247-2L MUR80120 TO-247-2L 1200V 80A 英文版MUR80120技术规格书.pdf
-140A -60V P-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DTG050P06LA TO-220C DTG050P06LA TO-220C -60V -140A Gerät+DTG050P06LA+Spezifikation+Rev.1.0.pdf
80A 200V Fast-Recovery-Diode MUR80FU20NCA TO-3PN MUR80FU20NCA TO-3PN 200V 80A 英文版MUR80FU20NCA术规格书.pdf
8A 650V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET F8N65 TO-220F F8N65 TO-220F 650V 8A F8N65技术规格书.pdf
180 A 100 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DSE026N10NA TO-263 DSE026N10NA TO-263 100V 180A Gerät+DSE026N10NA&DSG028N10NA+Spezifikation+Rev.1.0.pdf
100A 1200V Halbbrücken-IGBT-Modul DGA100H120M2T 34mm DGA100H120M2T 34mm 1200V 100A DGA100H120M2T.pdf
N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 180 A 60 V DHS015N06E TO-263 DHS015N06E TO-263 60V 180A Donghai+DHS015N06&DHS015N06E+Datenblatt+Rev.1.0.pdf
50 A 200 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET F50N20 F50N20 TO-220F 200V 50A Spezifikation des Geräts F50N20(1).pdf
150A 1200V Halbbrückenmodul IGBT-Modul DGA150H120M2T 34mm DGA150H120L2T 34mm 1200V 150A DGA150H120L2T.pdf
4A 650V SiC-Schottky-Barrierediode DCD04D65G4 TO-252B 650V 4A Gerätespezifikation DCD04D65G4.pdf
150A 1200V Halbbrückenmodul IGBT-Modul DGA150H120M2T 34mm DGA150H120M2T 34mm 1200V 150A DGA150H120M2T(1).pdf
6A 650V Trenchstop Bipolartransistor mit isoliertem Gate DGD06F65M2 TO-252B DGD06F65M2 TO-252B 650V 6A _Datenblatt.pdf

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