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150A 1200V Halbbrückenmodul IGBT-Modul DGA150H120M2T 34mm

Diese Bipolartransistoren mit isoliertem Gate verwenden ein fortschrittliches Trench- und Fieldstop-Technologiedesign und bieten eine hervorragende VCEsat- und Schaltgeschwindigkeit sowie eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht.
 
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150A 1200V Halbbrückenmodul


1 Beschreibung 

Diese Bipolartransistoren mit isoliertem Gate verwenden ein fortschrittliches Trench- und Fieldstop-Technologiedesign und bieten eine hervorragende VCEsat- und Schaltgeschwindigkeit sowie eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht. 


2 Funktionen 

  ● FS Trench-Technologie, positiver Temperaturkoeffizient 

  ● Niedrige Sättigungsspannung: VCE(sat), typ = 1,9 V bei IC = 100 A und Tj = 25 °C 

  ● Extrem verbesserte Lawinenfähigkeit 


3 Anwendungen 

  • Schweißen 

  • UPS 

  • Dreistufiger Wechselrichter 

  • AC- und DC-Servoantriebsverstärker




    Typ VCE Ic VCEsat,Tj=25℃ Tjop Paket
    DGA150H120M2T 1200V 150A (Tj=100℃) 2,55 V (typisch) 150℃ 34MM
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