150A 1200V Yarım Köprü Modülü IGBT Modülü DGA150H120m2t 34mm

150A 1200V Yarım Köprü Modülü

1 Açıklama 

Bu yalıtımlı geçit bipolar transistör, gelişmiş hendek ve saha stop teknolojisi tasarımı kullandı, mükemmel vcesat ve anahtarlama hızı, düşük kapı şarjı sağladı. ROHS standardı ile uyumludur. 

2 Özellik 

  ● FS hendek teknolojisi, pozitif sıcaklık katsayısı 

  ● Düşük doygunluk voltajı: VCE (SAT), tip = 1.9V @ IC = 100a ve TJ = 25 ° C 

  ● Son derece gelişmiş çığ yeteneği 

3 Uygulama 

• Kaynak 

• GÜÇ KAYNAĞI 

• Üç-ciltli 

• AC ve DC Servo Drive Amplifikatörü

  
  

  
  

  
  

  Tip	VCE	İc	VCCEAT, TJ = 25 ℃	Tjop	Paketi
  DGA150H120M2T	1200V	150A (tj = 100 ℃)	2.55V (tip)	150 ℃	34 mm