150A 1200V Modul semi-punte Modul IGBT DGA150H120M2T 34mm

150A 1200V Modul semi-punte

1 Descriere 

Aceste tranzistoare bipolare cu poartă izolată au folosit un design avansat de tehnologie de șanț și Fieldstop, au oferit VCEsat și viteză de comutare excelente, încărcare scăzută a porții. Ceea ce este în conformitate cu standardul RoHS. 

2 Caracteristici 

  ● Tehnologia FS Trench, coeficient de temperatură pozitiv 

  ● Tensiune de saturație scăzută: VCE(sat), typ = 1,9V @ IC =100A și Tj = 25°C 

  ● Capacitate de avalanșă extrem de îmbunătățită 

3 Aplicații 

• Sudare 

• UPS 

• Invertor cu trei trepte 

• Servoamplificator AC și DC

  
  

  
  

  
  

  Tip	VCE	IC	VCEsat,Tj=25℃	Tjop	Pachet
  DGA150H120M2T	1200V	150A (Tj=100℃)	2,55 V (tip)	150℃	34MM