150A 1200V Moduli gjysmë urë Moduli IGBT DGA150H120M2T 34mm

Moduli gjysmë urë 150A 1200V

1 Përshkrimi 

Këta tranzistor bipolar të portës së izoluar përdorën dizajn të avancuar të kanalit dhe teknologjisë Fieldstop, siguruan shpejtësi të shkëlqyer VCEsat dhe ndërrimi, ngarkesë të ulët të portës. Që përputhet me standardin RoHS. 

2 Karakteristikat 

  ● Teknologjia FS Trench, Koeficienti pozitiv i temperaturës 

  ● Tension i ulët i ngopjes: VCE(sat), tip = 1.9V @ IC =100A dhe Tj = 25°C 

  ● Aftësia jashtëzakonisht e përmirësuar e ortekëve 

3 Aplikacionet 

• Saldimi 

• UPS 

• Inverter me tre nivele 

• Përforcues i servo drive AC dhe DC

  
  

  
  

  
  

  Lloji	VCE	Ic	VCEsat,Tj=25℃	Tjop	Paketa
  DGA150H120M2T	1200 V	150A (Tj=100℃)	2,55 V (Lloji)	150 ℃	34 mm