未命名 (1) (8) (1)
hek
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
U bent hier: Thuis » Producten » » IGBT -module » Pim » 150A 1200V Halfbrugmodule IGBT -module DGA150H120M2T 34mm

laden

Delen op:
Facebook -knop delen
Twitter -knop delen
Lijnuitdeling knop
Wechat delen knop
LinkedIn Sharing -knop
Pinterest delen knop
whatsapp delen knop
Sharethis delen knop

150A 1200V Halfbrugmodule IGBT -module DGA150H120M2T 34 mm

Deze geïsoleerde poort bipolaire transistor gebruikte geavanceerde geul en fieldstop -technologieontwerp, bood uitstekende VCESAT en schakelsnelheid, lage poortlading. Die overeenkomt met de ROHS -standaard.
 
Beschikbaarheid:
Hoeveelheid:
Vragen Toevoegen aan de mand

150A 1200V Halfbrugmodule


1 beschrijving 

Deze geïsoleerde poort bipolaire transistor gebruikte geavanceerde geul en fieldstop -technologieontwerp, bood uitstekende VCESAT en schakelsnelheid, lage poortlading. Die overeenkomt met de ROHS -standaard. 


2 functies 

  ● FS Trench -technologie, positieve temperatuurcoëfficiënt 

  ● Lage verzadigingsspanning: VCE (SAT), TYP = 1.9V @ IC = 100A en TJ = 25 ° C 

  ● Extreem verbeterde lawine -mogelijkheden 


3 toepassingen 

  • Las 

  • Ups 

  • Drie-leve omvormer 

  • AC- en DC Servo Drive -versterker




    Type VCE IC VCESAT, TJ = 25 ℃ Tjop Pakket
    DGA150H120M2T 1200V 150a (tj = 100 ℃) 2.55V (typ) 150 ℃ 34 mm
Vorig: 
Volgende: 
150A 1200V Halfbrugmodule
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Meld u aan voor onze nieuwsbrief
  • Maak je klaar voor de toekomstige
    aanmelding voor onze nieuwsbrief om updates rechtstreeks naar je inbox te krijgen
    Indienen
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology door leadong.com