150A 1200V Half Bridge Module IGBT MODULE DGA150H120M2T 34MM

150A 1200V Half Bridge Module

1 الوصف 

استخدمت هذه الترانزستور الثنائي القطب المعزول تصميم الخندق المتقدم والتكنولوجيا الميدانية ، وتوفير سرعة VCESAT و STANDING SPEED ، وشحنة البوابة المنخفضة. الذي يتوافق مع معيار ROHS. 

2 ميزات 

  ● تقنية FS Trench ، معامل درجة الحرارة الإيجابية 

  ● جهد التشبع المنخفض: VCE (SAT) ، TYP = 1.9V @ IC = 100A و TJ = 25 درجة مئوية 

  ● قدرة الانهيار المعززة للغاية 

3 تطبيقات 

• اللحام 

• يو بي إس 

• ثلاثة leve العاكس 

• مكبر للصوت AC و DC Servo

  
  

  
  

  
  

  يكتب	VCE	IC	vcesat ، tj = 25 ℃	tjop	طَرد
  DGA150H120M2T	1200V	150a (TJ = 100 ℃)	2.55V (TYP)	150 ℃	34mm