بوابة
شركة جيانغسو دونغهاي لأشباه الموصلات المحدودة
أنت هنا: بيت » منتجات » وحدة IGBT » إدارة المعلومات الشخصية » 150A 1200V نصف جسر وحدة IGBT وحدة DGA150H120M2T 34mm

تحميل

مشاركة إلى:
زر مشاركة الفيسبوك
زر المشاركة على تويتر
زر مشاركة الخط
زر مشاركة وي شات
زر المشاركة ينكدين
زر مشاركة بينتريست
زر مشاركة الواتس اب
شارك زر المشاركة هذا

150A 1200V نصف جسر وحدة IGBT وحدة DGA150H120M2T 34mm

يستخدم الترانزستور ثنائي القطب ذو البوابة المعزولة تصميمًا متطورًا لتكنولوجيا الخنادق وFieldstop، ويوفر VCEsat ممتازًا وسرعة تبديل وشحن بوابة منخفضًا. والذي يتوافق مع معيار RoHS.
 
التوفر:
كمية:
  • DGA150H120M2T

  • WXDH

  • 34 ملم

  • DGA150H120M2T(1).pdf

  • 1200 فولت

  • 150 أ

150A 1200V وحدة نصف الجسر


1 الوصف 

يستخدم الترانزستور ثنائي القطب ذو البوابة المعزولة تصميمًا متطورًا لتكنولوجيا الخنادق وFieldstop، ويوفر VCEsat ممتازًا وسرعة تبديل وشحن بوابة منخفضًا. والذي يتوافق مع معيار RoHS. 


2 الميزات 

  ● تقنية الخندق FS، معامل درجة الحرارة الإيجابي 

  ● جهد التشبع المنخفض: VCE(sat)، typ = 1.9V @ IC = 100A وTj = 25 درجة مئوية 

  ● القدرة على الانهيارات الجليدية المحسنة للغاية 


3 تطبيقات 

  • لحام 

  • يو بي إس 

  • العاكس ثلاثي المستويات 

  • مضخم محرك سيرفو AC و DC




    يكتب VCE جيم VCEsat,Tj=25°C تجوب طَرد
    DGA150H120M2T 1200 فولت 150 أمبير (تي جي = 100 درجة مئوية) 2.55 فولت (الطباع) 150 درجة مئوية 34 مللي متر
سابق: 
التالي: 
  • اشترك في النشرة الإخبارية لدينا
  • استعد للمستقبل،
    اشترك في النشرة الإخبارية لدينا للحصول على التحديثات مباشرة في صندوق البريد الوارد الخاص بك