150A 1200V Modul Jembatan Setengah Modul IGBT DGA150H120M2T 34mm

Modul Jembatan Setengah 150A 1200V

1 deskripsi 

Transistor bipolar gerbang terisolasi ini menggunakan desain teknologi parit dan fieldstop canggih, memberikan kecepatan vcesat dan switching yang sangat baik, muatan gerbang rendah. Yang sesuai dengan standar ROHS. 

2 fitur 

  ● Teknologi parit FS, koefisien suhu positif 

  ● Tegangan saturasi rendah: VCE (SAT), typ = 1.9V @ ic = 100a dan tj = 25 ° C 

  ● Kemampuan longsoran yang sangat ditingkatkan 

3 aplikasi 

• Pengelasan 

• UPS 

• Inverter tiga leve 

• AC dan DC Servo Drive Amplifier

  
  

  
  

  
  

  Jenis	Vce	Ic	Vcesat, tj = 25 ℃	Tjop	Kemasan
  DGA150H120M2T	1200v	150a (tj = 100 ℃)	2.55v (Typ)	150 ℃	34mm