150A 1200V puolisiltamoduuli IGBT-moduuli DGA150H120M2T 34mm

150A 1200V puolisiltamoduuli

1 Kuvaus 

Nämä eristetyt kaksinapaiset transistorit käyttivät edistynyttä kaivanto- ja Fieldstop-tekniikkaa, tarjoten erinomaisen VCEsat-toiminnon ja kytkentänopeuden, alhaisen porttilatauksen. Joka on RoHS-standardin mukainen. 

2 Ominaisuudet 

  ● FS Trench Technology, positiivinen lämpötilakerroin 

  ● Matala kyllästysjännite: VCE (sat), tyyppi = 1,9 V @ IC = 100 A ja Tj = 25 °C 

  ● Erittäin parannettu lumivyörykyky 

3 Sovellukset 

• Hitsaus 

• UPS 

• Kolmiportainen invertteri 

• AC- ja DC-servotaajuusmuuttajavahvistin

  
  

  
  

  
  

  Tyyppi	VCE	Ic	VCEsat, Tj = 25 ℃	Tjop	Paketti
  DGA150H120M2T	1200V	150 A (Tj = 100 ℃)	2,55 V (tyyppi)	150℃	34 mm