150A 1200V Moduli ya nusu ya daraja la IGBT DGA150H120M2T 34mm

150A 1200V Moduli ya daraja la nusu

1 Maelezo 

Transistor ya Lango Lililohamishwa la Bipolar ilitumia mfereji wa hali ya juu na muundo wa teknolojia ya Fieldstop, ilitoa VCEsat bora na kasi ya kubadili, malipo ya chini ya lango. Ambayo inalingana na kiwango cha RoHS. 

2 Sifa 

  ● Teknolojia ya FS Trench, mgawo chanya wa halijoto 

  ● Voltage ya chini ya kueneza: VCE(ameketi), chapa = 1.9V @ IC =100A na Tj = 25°C 

  ● Uwezo wa banguko ulioimarishwa sana 

3 Maombi 

• Kulehemu 

• UPS 

• Inverter ya ngazi tatu 

• amplifier ya AC na DC servo drive

  
  

  
  

  
  

  Aina	VCE	Ic	VCEsat,Tj=25℃	Tjop	Kifurushi
  DGA150H120M2T	1200V	150A (Tj=100℃)	2.55V (Aina)	150 ℃	34 mm