150A 1200V Half Bridge Module IGBT Module DGA150H120M2T 34mm

150A 1200V kalahating module ng tulay

1 Paglalarawan 

Ang mga insulated gate bipolar transistor na ginamit ang advanced na trench at fieldstop na disenyo ng teknolohiya, na ibinigay ng mahusay na vcesat at bilis ng paglipat, mababang singil sa gate. Na naaayon sa pamantayan ng ROHS. 

2 Mga Tampok 

  ● Teknolohiya ng FS Trench, koepisyent ng positibong temperatura 

  ● Mababang boltahe ng saturation: vce (sat), typ = 1.9v @ ic = 100a at tj = 25 ° C 

  ● Sobrang pinahusay na kakayahan ng avalanche 

3 mga aplikasyon 

• Pag -welding 

• UPS 

• Tatlong-leve inverter 

• AC at DC Servo Drive amplifier

  
  

  
  

  
  

  I -type	Vce	IC	Vcesat, tj = 25 ℃	TJOP	Package
  DGA150H120M2T	1200V	150a (tj = 100 ℃)	2.55v (typ)	150 ℃	34mm