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150A 1200V Módulo de medio puente Módulo IGBT DGA150H120M2T 34 mm

Este transistor bipolar de compuerta aislada utilizaron el diseño avanzado de tecnología de zanja y campo de campo, proporcionó una excelente VseSAT y velocidad de conmutación, baja carga de puerta. Que concuerda con el estándar ROHS.
 
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150A Módulo de medio puente de 1200V de 1200V


1 descripción 

Este transistor bipolar de compuerta aislada utilizaron el diseño avanzado de tecnología de zanja y campo de campo, proporcionó una excelente VseSAT y velocidad de conmutación, baja carga de puerta. Que concuerda con el estándar ROHS. 


2 características 

  ● Tecnología de la trinchera FS, coeficiente de temperatura positiva 

  ● Bajo voltaje de saturación: VCE (SAT), TYP = 1.9V @ IC = 100A y TJ = 25 ° C 

  ● Capacidad de avalancha extremadamente mejorada 


3 aplicaciones 

  • Soldadura 

  • Unión Postal Universal 

  • Inversor de tres pueblos 

  • Amplificador de accionamiento de Servo AC y DC




    Tipo VCE Beer Vcesat, TJ = 25 ℃ TJOP Paquete
    DGA150H120M2T 1200V 150A (TJ = 100 ℃) 2.55V (typ) 150 ℃ 34 mm
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