Módulo IGBT de medio puente 150A 1200V DGA150H120M2T 34mm

Módulo de medio puente 150A 1200V

1 Descripción 

Estos transistores bipolares de puerta aislada utilizaron un diseño avanzado de tecnología de trinchera y Fieldstop, proporcionaron excelente VCEsat y velocidad de conmutación, y baja carga de puerta. Lo cual cumple con el estándar RoHS. 

2 características 

  ● Tecnología FS Trench, coeficiente de temperatura positivo 

  ● Voltaje de baja saturación: VCE(sat), típ = 1,9 V @ IC = 100 A y Tj = 25 °C 

  ● Capacidad de avalancha extremadamente mejorada 

3 aplicaciones 

• Soldadura 

• Unión Postal Universal 

• Inversor de tres niveles 

• Amplificador servoaccionador de CA y CC

  
  

  
  

  
  

  Tipo	VCE	ic	VCEsat,Tj=25℃	Tjop	Paquete
  DGA150H120M2T	1200V	150A (Tj=100℃)	2,55 V (típico)	150℃	34MM