150A 1200V MODUL MODILU MODULE IGBT IGBT MODUL DGA150H120M2T 34MM

150A 1200V MODUL HALF BRIDGE

1 Popis 

Tyto izolované bipolární tranzistor brány používaly technologický design Advanced Trench a Fieldstop, poskytoval vynikající rychlost VCESAT a přepínání, nízký náboj brány. Který v souladu se standardem ROHS. 

2 funkce 

  ● Technologie příkopu FS, koeficient pozitivní teploty 

  ● Nízké nasycené napětí: VCE (SAT), TYP = 1,9V @ IC = 100A a TJ = 25 ° C 

  ● Extrémně vylepšená schopnost laviny 

3 aplikace 

• Svařování 

• UPS 

• Třídavý střídač 

• AC a DC Servo Drive zesilovač

  
  

  
  

  
  

  Typ	VCE	IC	VCESAT, TJ = 25 ℃	Tjop	Balík
  DGA150H120M2T	1200V	150a (TJ = 100 ℃)	2,55V (typ)	150 ℃	34 mm