150A 1200V Halvbromodul IGBT-modul DGA150H120M2T 34mm

150A 1200V Halvbromodul

1 Beskrivelse 

Disse bipolare transistorene med isolert port brukte avansert grøfte- og feltstoppteknologidesign, ga utmerket VCEsat og svitsjhastighet, lav portlading. Som samsvarer med RoHS-standarden. 

2 funksjoner 

  ● FS Trench Technology, positiv temperaturkoeffisient 

  ● Lav metningsspenning: VCE(sat), typ = 1,9V @ IC =100A og Tj = 25°C 

  ● Ekstremt forbedret skredkapasitet 

3 applikasjoner 

• Sveising 

• UPS 

• Tre-trinns omformer 

• AC og DC servodrivforsterker

  
  

  
  

  
  

  Type	VCE	Ic	VCEsat,Tj=25℃	Tjop	Pakke
  DGA150H120M2T	1200V	150A (Tj=100℃)	2,55V (Typ)	150 ℃	34 MM