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16A 650V N-Kanal-Super-Junction-Leistungs-MOSFET DHSJ21N65Z PDFN4(8*8)

16 A 650 V N-Kanal-Super-Junction-Leistungs-MOSFET
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16A 650V N-Kanal-Super-Junction-Leistungs-MOSFET


1 Beschreibung

Diese N-Kanal-verstärkten VDMAsfets nutzen fortschrittliche Super-Junction-Technologie und -Design, um exzellenten Rdson mit niedriger Gate-Ladung bereitzustellen. Was dem RoHS-Standard entspricht. 


2 Funktionen

● Geringer Widerstand

● Niedrige Gate-Ladung 

● Schnelles Umschalten

● Geringe Rückübertragungskapazitäten

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest

● 100 % ΔVDS-Test


3 Anwendungen 

● LED/LCD/PDP-TV- und Monitorbeleuchtung 

● Solar-/Erneuerbare-/USV-Mikro-Wechselrichtersystem

● Ladegerät 

● Stromversorgung


VDSS RDS(ein)（TYP) AUSWEIS
650V 0,15 Ω 16A



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