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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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MOSFET de puissance à super jonction canal N 16A 650V DHSJ21N65Z PDFN4(8*8)

MOSFET de puissance à super jonction canal N 16 A, 650 V
Disponibilité :
Quantité :

MOSFET de puissance à super jonction canal N 16 A 650 V


1 Descriptif

Ces vdmosfets améliorés à canal N utilisent une technologie et une conception avancées de super jonction pour fournir un excellent Rdson avec une faible charge de grille. Ce qui est conforme à la norme RoHS. 


2 Caractéristiques

● Faible résistance

● Faible charge de porte 

● Commutation rapide

● Faibles capacités de transfert inverse

● Test d'énergie d'avalanche à impulsion unique à 100 %

● Test 100 % ΔVDS


3 candidatures 

● Éclairage pour téléviseur et moniteur LED/LCD/PDP 

● Système solaire/renouvelable/UPS-micro-onduleur

● Chargeur 

● Alimentation


VDSS RDS (activé) (TYP) IDENTIFIANT
650V 0,15Ω 16A



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