MOSFET de potencia de súper unión de canal N de 16A 650V DHSJ21N65Z PDFN4(8*8)

MOSFET de potencia de súper unión de canal N de 16 A y 650 V

1 Descripción

Estos vdmosfets mejorados de canal N utilizan tecnología y diseño avanzados de súper unión para proporcionar un Rdson excelente con una carga de puerta baja. Lo cual cumple con el estándar RoHS. 

2 características

● Baja resistencia

● Cargo de puerta bajo 

● Cambio rápido

● Bajas capacitancias de transferencia inversa.

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100%

● Prueba 100% ΔVDS

3 aplicaciones 

● Iluminación LED/LCD/PDP para televisores y monitores 

● Sistema solar/renovable/UPS-Micro inversor

● Cargador 

● Fuente de alimentación

VDSS	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
650V	0,15Ω	16A