MOSFET công suất siêu nối kênh N 16A 650V DHSJ21N65Z PDFN4(8*8)

MOSFET công suất siêu nối kênh N 16A 650V

1 Mô tả

Các vdmosfet cải tiến kênh N này đang sử dụng công nghệ và thiết kế siêu tiếp nối tiên tiến để cung cấp Rdson xuất sắc với mức phí cổng thấp. Phù hợp với tiêu chuẩn RoHS. 

2 tính năng

● Điện trở thấp

● Phí vào cổng thấp 

● Chuyển đổi nhanh

● Điện dung truyền ngược thấp

● Kiểm tra năng lượng tuyết lở xung đơn 100%

● Kiểm tra ΔVDS 100%

3 ứng dụng 

● TV và màn hình LED/LCD/PDP Ánh sáng 

● Hệ thống biến tần năng lượng mặt trời/tái tạo/UPS-Micro

● Bộ sạc 

● Nguồn điện

VDSS	RDS(bật)（TYP)	NHẬN DẠNG
650V	0,15Ω	16A