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N-Channel-Verbesserungsmodus Power MOSFET 180A 60V DHS015N06E TO-263

N-Channel-Verbesserungsmodus Power MOSFET 180A 60V
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N-Kanal-Verbesserungsmodus Power MOSFET 180A 60V


1 Beschreibung

Dieser N-Kanal-Verbesserungsmodus-Power MOSFET verwendet die fortschrittliche Split-Gate-Grabentechnologie, die gleichzeitig eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung bietet. Das entspricht dem ROHS -Standard. 


2 Merkmale

● Niedrig des Widerstands

● Ladung mit niedriger Gate 

● schnelles Umschalten 

● Niedrige Umkehrtransferkapazität

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest 

● 100% ΔVDS -Test


3 Anwendungen 

● Synchrone Korrektur in SMPs 

● Motorsteuerung und Antrieb

● Batteriemanagement

● ups 

● Elektrowerkzeuge


VDS RDS (ON) (Typ) ID （Paketlimit） 
60 V 1,6 mΩ 180a



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