N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 180A 60V DHS015N06E TO-263

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 180A 60V

1 ຄຳອະທິບາຍ

MOSFET ຮູບແບບການເພີ່ມປະສິດທິພາບ N-channel ນີ້ໃຊ້ເທກໂນໂລຍີ Split Gate Trench ຂັ້ນສູງ, ເຊິ່ງສະຫນອງ Rdson ທີ່ດີເລີດແລະການເກັບຄ່າ Gate ຕ່ໍາໃນເວລາດຽວກັນ. ເຊິ່ງສອດຄ່ອງກັບມາດຕະຖານ RoHS. 

2 ຄຸນສົມບັດ

● ຄວາມຕ້ານທານຕໍ່າ

● ຄ່າບໍລິການປະຕູຕໍ່າ 

● ສະຫຼັບໄວ 

● ຄວາມອາດສາມາດໃນການໂອນເງິນປີ້ນກັບກັນຕໍ່າ

● 100% ການທົດສອບພະລັງງານ avalanche avalanche ດຽວ 

● 100% ΔVDS ການທົດສອບ

3 ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ 

● synchronous rectification ໃນ SMPS 

● ຄວບຄຸມມໍເຕີ ແລະຂັບ

● ການຈັດການແບັດເຕີຣີ

● UPS 

● ເຄື່ອງມືພະລັງງານ

VDS	RDS(ເປີດ) (TYP)	ID (ຈຳກັດແພັກເກດ)
60V	1.6mΩ	180A