Chế độ tăng cường kênh N Nguồn MOSFET 180A 60V DHS015N06E TO-263

Chế độ tăng cường kênh N Nguồn MOSFET 180A 60V

1 Mô tả

MOSFET công suất ở chế độ tăng cường kênh N này sử dụng công nghệ Split Gate Trench tiên tiến, mang lại mức sạc Rdson tuyệt vời và mức sạc Cổng thấp cùng một lúc. Phù hợp với tiêu chuẩn RoHS. 

2 tính năng

● Điện trở thấp

● Phí vào cổng thấp 

● Chuyển đổi nhanh 

● Điện dung truyền ngược thấp

● Kiểm tra năng lượng tuyết lở xung đơn 100% 

● Kiểm tra ΔVDS 100%

3 ứng dụng 

● Chỉnh lưu đồng bộ trong SMPS 

● Điều khiển và truyền động động cơ

● Quản lý pin

● Bộ lưu điện 

● Dụng cụ điện

VDS	RDS(bật) (TYP)	ID（giới hạn gói）
60V	1,6mΩ	180A