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150A 1200V Halbbrückenmodul 34mm IGBT-Modul DGA150H120L2T

Diese Bipolartransistoren mit isoliertem Gate verwenden ein fortschrittliches Trench- und Fieldstop-Technologiedesign und bieten eine hervorragende VCEsat- und Schaltgeschwindigkeit sowie eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht.
 
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  • DGA150H120L2T

  • WXDH

  • 34mm

  • DGA150H120L2T.pdf

  • 1200V

  • 150A

150A 1200V Halbbrückenmodul


1 Beschreibung 

Diese Bipolartransistoren mit isoliertem Gate verwenden ein fortschrittliches Trench- und Fieldstop-Technologiedesign und bieten eine hervorragende VCEsat- und Schaltgeschwindigkeit sowie eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht.


2 Funktionen 

 Extrem verbesserte Lawinenfähigkeit 

 Empfohlene Betriebsfrequenz (5 kHz ~ 20 kHz). 

 FS Trench-Technologie, positiver Temperaturkoeffizient 

 Niedrige Sättigungsspannung: VCE(sat), typ = 1,8 V bei IC = 150 A und Tj = 25 °C


3 Anwendungen 

  • Schweißen 

  • UPS 

  • Dreistufiger Wechselrichter 



    Typ VCE Ic VCEsat,Tj=25℃ Tjop Paket
    DGA150H120L2T 1200V 150A (Tj=100℃) 1,8 V (typisch) 150℃ 34MM
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