kapu
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ön itt van: Otthon » Termékek » IGBT MODUL » PIM » 150A 1200V félhíd modul 34mm IGBT modul DGA150H120L2T

terhelés

Megosztás:
Facebook megosztás gomb
Twitter megosztás gomb
vonalmegosztás gomb
wechat megosztási gomb
linkedin megosztás gomb
pinterest megosztási gomb
WhatsApp megosztási gomb
oszd meg ezt a megosztási gombot

150A 1200V félhíd modul 34mm IGBT modul DGA150H120L2T

Ezek a szigetelt kapus bipoláris tranzisztorok fejlett tranch és Fieldstop technológiát alkalmaztak, kiváló VCEsat-ot és kapcsolási sebességet, alacsony kaputöltést biztosítottak. Ami megfelel a RoHS szabványnak.
 
Elérhetőség:
Mennyiség:
  • DGA150H120L2T

  • WXDH

  • 34 mm

  • DGA150H120L2T.pdf

  • 1200V

  • 150A

150A 1200V Félhíd modul


1 Leírás 

Ezek a szigetelt kapus bipoláris tranzisztorok fejlett tranch és Fieldstop technológiát alkalmaztak, kiváló VCEsat-ot és kapcsolási sebességet, alacsony kaputöltést biztosítottak. Ami megfelel a RoHS szabványnak.


2 Jellemzők 

 Rendkívül továbbfejlesztett lavinaképesség 

 Javasolt működési frekvencia (5kHz ~ 20kHz) 

 FS Trench Technology, pozitív hőmérsékleti együttható 

 Alacsony telítési feszültség: VCE(sat), típus = 1,8V@ IC = 150A és Tj = 25°C


3 Alkalmazások 

  • Hegesztés 

  • UPS 

  • Három fokozatú inverter 



    Írja be VCE Ic VCEsat, Tj=25 ℃ Tjop Csomag
    DGA150H120L2T 1200V 150 A (Tj = 100 ℃) 1,8 V (típus) 150 ℃ 34 mm
Előző: 
Következő: 
  • Iratkozzon fel hírlevelünkre
  • készüljön fel a jövőre,
    iratkozzon fel hírlevelünkre, hogy közvetlenül a postaládájába kapja a frissítéseket