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150A 1200 V MODULO MIUSE PROFICIO 34mm Modulo IGBT DGA150H120L2T

Questi transistor bipolari a gate isolati hanno utilizzato una progettazione avanzata di trincea e tecnologia fieldstop, hanno fornito un'eccellente velocità VCEAT e di commutazione, bassa carica di gate. Che accorda con lo standard ROHS.
 
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  • DGA150H120L2T

  • Wxdh

  • 34 mm

  • Dga150h120l2t.pdf

  • 1200v

  • 150a

Modulo a mezzo bridge da 150A 1200V


1 Descrizione 

Questi transistor bipolari a gate isolati hanno utilizzato una progettazione avanzata di trincea e tecnologia fieldstop, hanno fornito un'eccellente velocità VCEAT e di commutazione, bassa carica di gate. Che accorda con lo standard ROHS.


2 caratteristiche 

 Capacità di valanga estremamente migliorata 

 Frequenza operativa consigliata （5kHz ~ 20kHz） 

 Tecnologia della trincea FS, coefficiente di temperatura positivo 

 Tensione di saturazione bassa: VCE (SAT), tip = 1.8V@ IC = 150A e TJ = 25 ° C


3 applicazioni 

  • Saldatura 

  • UPS 

  • Inverter a tre leve 



    Tipo Vce Circuito integrato VceSat, TJ = 25 ℃ Tjop Pacchetto
    DGA150H120L2T 1200v 150A (TJ = 100 ℃) 1.8V (tipo) 150 ℃ 34 mm
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