brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Produkty » IGBT MODUL » PIM » 150A 1200V Polomostíkový modul 34mm IGBT modul DGA150H120L2T

načítavanie

Zdieľať s:
tlačidlo zdieľania na facebooku
tlačidlo zdieľania na Twitteri
tlačidlo zdieľania linky
tlačidlo zdieľania wechat
prepojené tlačidlo zdieľania
tlačidlo zdieľania na pintereste
tlačidlo zdieľania whatsapp
zdieľať toto tlačidlo zdieľania

150A 1200V modul polovičného mostíka 34mm modul IGBT DGA150H120L2T

Tieto bipolárne tranzistory s izolovanou bránou používali pokročilý dizajn výkopu a technológie Fieldstop, poskytovali vynikajúcu rýchlosť VCEsat a spínania, nízke nabíjanie brány. Čo je v súlade s normou RoHS.
 
Dostupnosť:
množstvo:
  • DGA1579c5184d=● Vysokoúčinné napájacie zdroje s prepínaným režimom.

  • WXDH

  • 34 mm

  • DGA150H120L2T.pdf

  • 1200V

  • 150A

150A 1200V Modul polovičného mostíka


1 Popis 

Tieto bipolárne tranzistory s izolovanou bránou používali pokročilý dizajn výkopu a technológie Fieldstop, poskytovali vynikajúcu rýchlosť VCEsat a spínania, nízke nabíjanie brány. Čo je v súlade s normou RoHS.


2 Vlastnosti 

 Extrémne zvýšená lavínová schopnosť 

 Odporúčaná prevádzková frekvencia(5kHz~20kHz) 

 FS Trench Technology, kladný teplotný koeficient 

 Nízke saturačné napätie: VCE(sat), typ = 1,8V@ IC =150A a Tj = 25°C


3 Aplikácie 

  • Zváranie 

  • UPS 

  • Trojúrovňový invertor 



    Typ VCE Ic VCEsat,Tj=25℃ Tjop Balíček
    DGA1579c5184d=● Vysokoúčinné napájacie zdroje s prepínaným režimom. 1200V 150A (Tj=100℃) 1,8 V (typ) 150 ℃ 34 mm
Predchádzajúce: 
Ďalej: 
  • Prihláste sa na odber nášho newslettera
  • pripravte sa na budúcu
    registráciu na odber nášho bulletinu, aby ste dostávali aktualizácie priamo do vašej doručenej pošty