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150A 1200V हाफ ब्रिज मॉड्यूल 34mm IGBT मॉड्यूल DGA150H120L2T

इन इंसुलेटेड गेट बाइपोलर ट्रांजिस्टर में उन्नत ट्रेंच और फील्डस्टॉप प्रौद्योगिकी डिजाइन का उपयोग किया गया है, जो उत्कृष्ट वीसीसैट और स्विचिंग गति, कम गेट चार्ज प्रदान करता है। जो RoHS मानक के अनुरूप है।
 
उपलब्धता:
मात्रा:
  • DGA150H120L2T

  • डब्ल्यूएक्सडीएच

  • 34 मिमी

  • DGA150H120L2T.pdf

  • 1200V

  • 150ए

150A 1200V आधा ब्रिज मॉड्यूल


1 विवरण 

इन इंसुलेटेड गेट बाइपोलर ट्रांजिस्टर में उन्नत ट्रेंच और फील्डस्टॉप प्रौद्योगिकी डिजाइन का उपयोग किया गया है, जो उत्कृष्ट वीसीसैट और स्विचिंग गति, कम गेट चार्ज प्रदान करता है। जो RoHS मानक के अनुरूप है।


2 विशेषताएं 

 अत्यंत उन्नत हिमस्खलन क्षमता 

 अनुशंसित ऑपरेटिंग आवृत्ति(5kHz~20kHz) 

 एफएस ट्रेंच प्रौद्योगिकी, सकारात्मक तापमान गुणांक 

 कम संतृप्ति वोल्टेज: VCE(sat), टाइप = 1.8V@ IC =150A और Tj = 25°C


3 अनुप्रयोग 

  • वेल्डिंग 

  • ऊपर 

  • तीन-स्तरीय इन्वर्टर 



    प्रकार वी सी इ मैं सी VCEsat,Tj=25℃ तजोप पैकेट
    DGA150H120L2T 1200V 150ए (टीजे=100℃) 1.8V (टाइप) 150℃ 34एमएम
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