未命名 (1) (8) (1)
lango
Jiangsu Donghai Semiconductor Co, Ltd.
Uko hapa: Nyumbani » Bidhaa » Moduli ya IGBT » PIM » 150a 1200V Half Bridge Module 34mm IGBT Module DGA150H120L2t

Inapakia

Shiriki kwa:
Kitufe cha Kushiriki cha Facebook
Kitufe cha kushiriki Twitter
Kitufe cha kushiriki laini
Kitufe cha kushiriki WeChat
Kitufe cha Kushiriki cha LinkedIn
Kitufe cha kushiriki Pinterest
kitufe cha kushiriki whatsapp
Kitufe cha kushiriki

150A 1200V nusu ya daraja la moduli 34mm IGBT moduli DGA150H120L2T

Hizi transistor ya bipolar ya maboksi ilitumia hali ya juu na muundo wa teknolojia ya uwanja, ilitoa VCESAT bora na kasi ya kubadili, malipo ya chini ya lango. Ambayo inaambatana na kiwango cha ROHS.
 
Upatikanaji:
Kiasi:
Kuuliza Ongeza kwenye kikapu

  • DGA150H120L2T

  • Wxdh

  • 34mm

  • DGA150H120L2T.pdf

  • 1200V

  • 150A

150A 1200V nusu ya daraja la daraja


Maelezo 1 

Hizi transistor ya bipolar ya maboksi ilitumia hali ya juu na muundo wa teknolojia ya uwanja, ilitoa VCESAT bora na kasi ya kubadili, malipo ya chini ya lango. Ambayo inaambatana na kiwango cha ROHS.


Vipengele 2 

 Uwezo ulioimarishwa sana wa Avalanche 

 Iliyopendekezwa frequency ya kufanya kazi （5kHz ~ 20kHz） 

Teknolojia ya Trench ya FS, mgawo mzuri wa joto 

 Voltage ya kueneza chini: VCE (SAT), typ = 1.8V@ IC = 150A na TJ = 25 ° C


Maombi 3 

  • Kulehemu 

  • Ups 

  • Inverter tatu-leve 



    Aina VCE Ic VCESAT, TJ = 25 ℃ Tjop Kifurushi
    DGA150H120L2T 1200V 150A (TJ = 100 ℃) 1.8V (typ) 150 ℃ 34mm
Zamani: 
Ifuatayo: 
Moduli ya 150A 1200V IGBT
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co, Ltd.
  • Jisajili kwa jarida letu
  • Jitayarishe kwa
    Jisajili ya Baadaye kwa jarida letu kupata sasisho moja kwa moja kwenye Kikasha chako
    Wasilisha
Hakimiliki © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co, Teknolojia ya Ltd na leadong.com