150A 1200V Moduli ya nusu ya daraja 34mm IGBT Moduli DGA150H120L2T

150A 1200V Moduli ya daraja la nusu

1 Maelezo 

Transistor ya Lango Lililohamishwa la Bipolar ilitumia mfereji wa hali ya juu na muundo wa teknolojia ya Fieldstop, ilitoa VCEsat bora na kasi ya kubadili, malipo ya chini ya lango. Ambayo inalingana na kiwango cha RoHS.

2 Sifa 

 Uwezo wa mporomoko wa theluji ulioimarishwa sana 

 Masafa ya kufanya kazi yanayopendekezwa (5kHz~20kHz) 

 Teknolojia ya Mfereji wa FS, mgawo chanya wa joto 

 Voltage ya chini ya kueneza: VCE(imeketi), chapa = 1.8V@ IC =150A na Tj = 25°C

3 Maombi 

• Kulehemu 

• UPS 

• Inverter ya ngazi tatu 

  
  

  
  

  Aina	VCE	Ic	VCEsat,Tj=25℃	Tjop	Kifurushi
  DGA150H120L2T	1200V	150A (Tj=100℃)	1.8V (Aina)	150 ℃	34 mm