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Módulo IGBT de medio puente 150A 1200V DGA150H120M2T 34mm

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Módulo de medio puente 150A 1200V módulo IGBT de 34mm DGA150H120L2T

Estos transistores bipolares de puerta aislada utilizaron un diseño avanzado de tecnología de trinchera y Fieldstop, proporcionaron excelente VCEsat y velocidad de conmutación, y baja carga de puerta. Lo cual cumple con el estándar RoHS.

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Modelo:
DGA150H120L2T
Marca:
WXDH
Paquete:
34mm
Ficha de datos:
DGA150H120L2T.pdf
V:
1200V
A:
150A

Descripción del Producto

Módulo de medio puente 150A 1200V

1 Descripción

2 características

 Capacidad de avalancha extremadamente mejorada

 Frecuencia de funcionamiento recomendada (5 kHz ~ 20 kHz)

 Tecnología de trinchera FS, coeficiente de temperatura positivo

 Voltaje de baja saturación: VCE(sat), typ = 1.8V@ IC =150A y Tj = 25°C

3 aplicaciones

Soldadura
Unión Postal Universal

Inversor de tres niveles

Tipo	VCE	ic	VCEsat,Tj=25℃	Tjop	Paquete
DGA150H120L2T	1200V	150A (Tj=100℃)	1,8 V (típico)	150℃	34MM

Módulo IGBT 150A 1200V

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