150A 1200V Medium pontis moduli 34mm IGBT Module DGA150H120L2T

150A 1200V Medium pontis moduli

1 Description 

Hae portae Insulae Bipolar Transistor provectae fossae et technologiae Fieldstop consilio adhibitae sunt, praeclarum VCEsat et celeritate mutandi, portae humilis crimen. Quod congruit cum RoHS vexillum.

2 Features 

valde auctus facultatem NIVIS CASUS 

commendatur operating frequency（5kHz~ 20kHz） 

FS Trench Technology, Positiva temperatus coefficiens 

 Saturatio humilis intentione: VCE(sat), typ = 1.8V@ IC = 150A et Tj = 25°C

III Applications 

• Welding 

• UPS 

• Tres gradu Inverter 

  
  

  
  

  Type	VCE	Ic	VCEsat,Tj=25℃	Tjop	sarcina
  DGA150H120L2T	1200V	150A (Tj=100℃)	1.8V (Type)	150℃	34MM