150a 1200V Half Bridge Module 34mm IGBT Module DGA150H120L2T

150A 1200V Half Bridge Module

1 الوصف 

استخدمت هذه الترانزستور الثنائي القطب المعزول تصميم الخندق المتقدم والتكنولوجيا الميدانية ، وتوفير سرعة فسيت وسرعة التبديل ، شحنة البوابة المنخفضة. الذي يتوافق مع معيار ROHS.

2 ميزات 

 قدرة الانهيار المعززة للغاية 

 تردد التشغيل الموصى به （5khz ~ 20 كيلو هرتز） 

 تقنية خندق FS ، معامل درجة الحرارة الإيجابية 

 جهد التشبع المنخفض: VCE (SAT) ، TYP = 1.8V@ IC = 150A و TJ = 25 ° C

3 تطبيقات 

• اللحام 

• يو بي إس 

• ثلاثة leve العاكس 

  
  

  
  

  يكتب	VCE	IC	vcesat ، tj = 25 ℃	tjop	طَرد
  DGA150H120L2T	1200V	150a (TJ = 100 ℃)	1.8V (TYP)	150 ℃	34mm