150A 1200V Modul separuh jambatan 34mm Modul IGBT DGA150H120L2T

150A 1200V Modul separuh jambatan

1 Penerangan 

Transistor Bipolar Gerbang Bertebat ini menggunakan reka bentuk teknologi parit dan Fieldstop termaju, memberikan VCEsat dan kelajuan pensuisan yang sangat baik, cas pintu yang rendah. Yang sesuai dengan piawaian RoHS.

2 Ciri-ciri 

 Keupayaan runtuhan salji yang sangat dipertingkatkan 

 Kekerapan operasi yang disyorkan（5kHz~20kHz） 

 Teknologi Parit FS, Pekali suhu positif 

 Voltan tepu rendah: VCE(sat), typ = 1.8V@ IC =150A dan Tj = 25°C

3 Aplikasi 

• Kimpalan 

• UPS 

• Penyongsang tiga tingkat 

  
  

  
  

  taip	VCE	Ic	VCEsat,Tj=25℃	Tjop	Pakej
  DGA150H120L2T	1200V	150A (Tj=100℃)	1.8V (Jenis)	150 ℃	34MM