未命名 (1) (8) (1)
pintu gerbang
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Anda di sini: Rumah » Produk » » Modul IGBT » Pim » 150A 1200V Modul Jambatan Half 34mm Modul IGBT DGA150H120L2T

Memuatkan

Kongsi ke:
butang perkongsian facebook
butang perkongsian twitter
butang perkongsian garis
butang perkongsian WeChat
butang perkongsian LinkedIn
butang perkongsian Pinterest
butang perkongsian WhatsApp
butang perkongsian sharethis

150A 1200V Modul Jambatan Half 34mm Modul IGBT DGA150H120L2T

Transistor bipolar gerbang terlindung ini menggunakan reka bentuk teknologi parit dan lapangan yang maju, dengan syarat kelajuan vCesat dan kelajuan yang sangat baik, caj pintu rendah. Yang sesuai dengan standard ROHS.
 
Ketersediaan:
Kuantiti:
Bertanya Tambah ke bakul

  • DGA150H120L2T

  • WXDH

  • 34mm

  • DGA150H120L2T.PDF

  • 1200v

  • 150a

Modul Jambatan Half 1200V 150A 1200V


1 Penerangan 

Transistor bipolar gerbang terlindung ini menggunakan reka bentuk teknologi parit dan lapangan yang maju, dengan syarat kelajuan vCesat dan kelajuan yang sangat baik, caj pintu rendah. Yang sesuai dengan standard ROHS.


2 ciri 

 Keupayaan Avalanche yang sangat dipertingkatkan 

 Kekerapan operasi yang disyorkan (5kHz ~ 20kHz） 

 Teknologi parit FS, pekali suhu positif 

 Voltan tepu rendah: VCE (SAT), typ = 1.8V@ ic = 150A dan TJ = 25 ° C


3 aplikasi 

  • Kimpalan 

  • UPS 

  • Inverter Tiga-Leve 



    Jenis Vce IC Vcesat, tj = 25 ℃ Tjop Pakej
    DGA150H120L2T 1200v 150A (TJ = 100 ℃) 1.8V (typ) 150 ℃ 34mm
Sebelumnya: 
Seterusnya: 
Modul IGBT 150A 1200V
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Daftar untuk surat berita kami
  • Bersedia untuk
    mendaftar masa depan untuk buletin kami untuk mendapatkan kemas kini terus ke peti masuk anda
    Hantar
Hak Cipta © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by Leadong.com