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Module demi-pont 150A 1200V, module IGBT DGA150H120M2T 34mm

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Module demi-pont 150A 1200V, module IGBT 34mm, DGA150H120L2T

Ces transistors bipolaires à grille isolée utilisaient une conception avancée de technologie de tranchée et Fieldstop, offrant un excellent VCEsat et une excellente vitesse de commutation, une faible charge de grille. Ce qui est conforme à la norme RoHS.

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Modèle:
DGA150H120L2T
Marque:
WXDH
Emballer:
34mm
Fiche de données:
DGA150H120L2T.pdf
V :
1200V
UN:
150A

Description du produit

Module demi-pont 150A 1200V

1 Descriptif

Ces transistors bipolaires à grille isolée utilisaient une conception avancée de technologie de tranchée et Fieldstop, offrant un excellent VCEsat et une excellente vitesse de commutation, une faible charge de grille. Ce qui est conforme à la norme RoHS.

2 Caractéristiques

 Capacité d'avalanche extrêmement améliorée

 Fréquence de fonctionnement recommandée (5 kHz ~ 20 kHz)

 Technologie de tranchée FS, coefficient de température positif

 Basse tension de saturation : VCE(sat), typ = 1,8V@ IC =150A et Tj = 25°C

3 candidatures

Soudage
UPS

Onduleur à trois niveaux

Taper	VCE	IC	VCEsat,Tj=25℃	Tjop	Emballer
DGA150H120L2T	1200V	150A (Tj=100℃)	1,8 V (type)	150℃	34MM

Module IGBT 150A 1200V