未命名 (1) (8) (1)
gerbang
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
You Are Here: Rumah » Produk » Modul IGBT » Pim » 150A 1200V Jembatan Setengah Modul 34mm Modul IGBT DGA150H120L2T

memuat

Bagikan ke:
Tombol Berbagi Facebook
Tombol Berbagi Twitter
tombol berbagi baris
Tombol Berbagi WeChat
Tombol Berbagi LinkedIn
Tombol Berbagi Pinterest
Tombol Berbagi WhatsApp
Tombol Berbagi Sharethis

150A 1200V Modul Jembatan Setengah 34mm Modul IGBT DGA150H120L2T

Transistor bipolar gerbang terisolasi ini menggunakan desain teknologi parit dan fieldstop canggih, memberikan kecepatan vcesat dan switching yang sangat baik, muatan gerbang rendah. Yang sesuai dengan standar ROHS.
 
Tersedianya:
Kuantitas:
Menanyakan Tambahkan ke keranjang

  • DGA150H120L2T

  • Wxdh

  • 34mm

  • DGA150H120L2T.PDF

  • 1200v

  • 150a

Modul Jembatan Setengah 150A 1200V


1 deskripsi 

Transistor bipolar gerbang terisolasi ini menggunakan desain teknologi parit dan fieldstop canggih, memberikan kecepatan vcesat dan switching yang sangat baik, muatan gerbang rendah. Yang sesuai dengan standar ROHS.


2 fitur 

 Kemampuan longsoran yang sangat ditingkatkan 

 Frekuensi operasi yang disarankan （5kHz ~ 20kHz） 

 Teknologi parit FS, koefisien suhu positif 

 Tegangan saturasi rendah: VCE (SAT), typ = 1.8V@ ic = 150a dan tj = 25 ° C


3 aplikasi 

  • Pengelasan 

  • UPS 

  • Inverter tiga leve 



    Jenis Vce Ic Vcesat, tj = 25 ℃ Tjop Kemasan
    DGA150H120L2T 1200v 150a (tj = 100 ℃) 1.8V (Typ) 150 ℃ 34mm
Sebelumnya: 
Berikutnya: 
Modul IGBT 150A 1200V
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Mendaftar untuk buletin kami
  • Bersiaplah untuk Masa Depan
    Mendaftar untuk Buletin Kami Untuk Mendapatkan Pembaruan Langsung Ke Kotak Masuk Anda
    Kirim
Hak Cipta © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology oleh leadong.com