Modul Setengah Jembatan 150A 1200V Modul IGBT 34mm DGA150H120L2T

Modul setengah jembatan 150A 1200V

1 Deskripsi 

Transistor Bipolar Gerbang Terisolasi ini menggunakan desain teknologi parit dan Fieldstop yang canggih, memberikan VCEsat dan kecepatan peralihan yang sangat baik, biaya gerbang yang rendah. Yang sesuai dengan standar RoHS.

2 Fitur 

 Kemampuan longsoran salju yang sangat ditingkatkan 

 Frekuensi pengoperasian yang disarankan（5kHz~20kHz） 

 Teknologi Parit FS, Koefisien suhu positif 

 Tegangan saturasi rendah: VCE(sat), typ = 1.8V@ IC =150A dan Tj = 25°C

3 Aplikasi 

• Pengelasan 

• UPS 

• Inverter Tiga Tingkat 

  
  

  
  

  Jenis	VCE	Ic	VCEsat,Tj=25℃	Tjop	Kemasan
  DGA150H120L2T	1200V	150A (Tj=100℃)	1.8V (Jenis)	150℃	34 MM