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150A 1200V 하프 브리지 모듈 34mm IGBT 모듈 DGA150H120L2T

이러한 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터는 고급 트렌치 및 Fieldstop 기술 설계를 사용하여 탁월한 VCEsat 및 스위칭 속도, 낮은 게이트 전하를 제공했습니다. RoHS 표준을 준수합니다.
 
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  • DGA150H120L2T

  • WXDH

  • 34mm

  • DGA150H120L2T.pdf

  • 1200V

  • 150A

150A 1200V 하프 브리지 모듈


1 설명 

이러한 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터는 고급 트렌치 및 Fieldstop 기술 설계를 사용하여 탁월한 VCEsat 및 스위칭 속도, 낮은 게이트 전하를 제공했습니다. RoHS 표준을 준수합니다.


2 특징 

 극도로 강화된 눈사태 능력 

ㆍ권장 동작 주파수(5kHz~20kHz) 

 FS 트렌치 기술, 양의 온도 계수 

 낮은 포화 전압: VCE(sat), 일반 = 1.8V@ IC =150A 및 Tj = 25°C


3 응용 

  • 용접 

  • UPS 

  • 3레벨 인버터 



    유형 VCE IC VCEsat,Tj=25℃ 티잡 패키지
    DGA150H120L2T 1200V 150A (Tj=100℃) 1.8V(표준) 150℃ 34MM
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