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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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150A 1200V 하프 브리지 모듈 34mm IGBT 모듈 DGA150H120L2T

이 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터는 고급 트렌치 및 필드 스톱 기술 설계를 사용하여 우수한 VCESAT 및 스위칭 속도, 낮은 게이트 전하를 제공했습니다. ROHS 표준에 따릅니다.
 
유효성:
수량:
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  • DGA150H120L2T

  • WXDH

  • 34mm

  • DGA150H120L2T.PDF

  • 1200V

  • 150a

150A 1200V 하프 브리지 모듈


1 설명 

이 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터는 고급 트렌치 및 필드 스톱 기술 설계를 사용하여 우수한 VCESAT 및 스위칭 속도, 낮은 게이트 전하를 제공했습니다. ROHS 표준에 따릅니다.


2 가지 기능 

 매우 향상된 눈사태 기능 

 권장 작동 주파수 (5khz ~ 20khz) 찾고 

 FS 트렌치 기술, 양의 온도 계수 

 저렴한 포화 전압 : VCE (SAT), TYP = 1.8V@ IC = 150A 및 TJ = 25 ° C


3 응용 프로그램 

  • 용접 

  • UPS 

  • 3 leve 인버터 



    유형 VCE IC vcesat, tj = 25 ℃ tjop 패키지
    DGA150H120L2T 1200V 150A (TJ = 100 ℃) 1.8V (유형) 150 ℃ 34mm
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150A 1200V IGBT 모듈
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