brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Produkty
Model:
Balíček:
V:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ RADY:

Všetky produkty

Obrázok Model Balenie V A Technický list Podrobnosti Dopyt Pridať do košíka
13N90
20A 45V SchottkyBarrierDiode MBR2045CT TO-220C MBR2045CT TO-220C 45 V 20A 英文版MBR2045CT技术规格书.pdf
N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET 5A 650V D5N65-XAD TO-252B D5N65-XAD TO-252B 650 V 5A 英文版D5N65-XAD技术规格书.pdf
20A 200V SchottkyBarrierDiode MBR20200CT TO-220M MBR20200CT TO-220 mil 200V 20A 英文版MBR20200CT技术规格书REV1.1.pdf
DGC60F65M
30A 60V SchottkyBarrierDiode MBR3060CT TO-220M MBR3060CT TO-220 mil 60 V 30A 英文版MBR3060CT技术规格书REV1.1(1).pdf
6N90/F6N90
 N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 8A 500V D8N50 TO-252B D8N50 TO-252B 500 V 8A 英文版D8N50技术规格书REV1.1.pdf
20N90D/20N90B
7N80/F7N80/E7N80
8N50/F8N50/B8N50/D8N50
9N90/F9N90/E9N90
25A 650V N-channel Super Junction Power MOSFET DHSJ25N65F TO-220C DHSJ25N65F TO-220C 650 V 25A Špecifikácia zariadenia DHSJ25N65F.pdf
10A 200V SchottkyBarrierDiode MBRF10R200CT TO-220F 200V 10A 英文版MBRF10R200CT技术规格书.pdf
20A 650V SiC Schottkyho bariérová dióda DCE20D65G4 TO-263 DCE20D65G4 TO-263 650 V 20A Špecifikácia zariadenia DCE20D65G4.pdf
30A 200V Schottkyho bariérová dióda MBRF30200CT TO-220F MBRF30200CT TO-220F 200V 30A 英文版MBRF30200CT技术规格书REV1.0.pdf
20A 400V Dióda rýchlej obnovy MURF2040CT TO-220F MURF2040CT TO-220F 400 V 20A 英文版MURF2040CT技术规格书REV1.0.pdf
160A 120V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS044N12 TO-220C DHS044N12 TO-220C 120V 160A Špecifikácia zariadenia DHS044N12.pdf
85V/2,9mΩ/215AN-MOSFET DH025N08 TO-220C DH025N08 TO-220C 85V 215A Donghai_DH025N08_Datasheet_V1.0.pdf
70A 650V N-channel Super Junction Power MOSFET DJC070N65M2 TO-247 DJC070N65M2 TO-247 650 V 70A Špecifikácia zariadenia DJC070N65M2 Rev.1.0.pdf

Video o produkte

  • Prihláste sa na odber nášho newslettera
  • pripravte sa na budúcu
    registráciu na odber nášho bulletinu, aby ste dostávali aktualizácie priamo do vašej doručenej pošty