brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Produkty » MOSFET » 400V-1500V N MOS » 5A 500V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 5N50

načítavanie

Zdieľať s:
tlačidlo zdieľania na facebooku
tlačidlo zdieľania na Twitteri
tlačidlo zdieľania linky
tlačidlo zdieľania wechat
prepojené tlačidlo zdieľania
tlačidlo zdieľania na pintereste
tlačidlo zdieľania whatsapp
zdieľať toto tlačidlo zdieľania

5A 500V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET 5N50

5A 500V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
Dostupnosť:
Množstvo:
  • 5N50

  • WXDH

5A 500V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET


1 Popis

Tieto N-kanálové vylepšené vdmosfety sa získavajú samo-zarovnanou planárnou technológiou, ktorá znižuje stratu vedenia, zlepšuje spínací výkon a zvyšuje lavínovú energiu. Čo je v súlade s normou RoHS.


2 Vlastnosti 

● Rýchle prepínanie

● Vylepšená schopnosť ESD 

● Nízky odpor (Rdson≤1,6Ω) 

● Nízke nabitie brány (Typ: 12,6 nC)

● Nízke kapacity spätného prenosu (Typ: 4pF)

● 100% test lavínovej energie s jedným impulzom

● 100 % test ΔVDS


3 Aplikácie 

● Používa sa v rôznych výkonových spínacích obvodoch na miniaturizáciu systému a vyššiu účinnosť. 

● Obvod vypínača elektrónového predradníka a adaptéra


VDSS  RDS (zapnuté) (TYP) ID 
500 V 1,4 Ω 5A



Predchádzajúce: 
Ďalej: 
  • Prihláste sa na odber nášho newslettera
  • pripravte sa na budúce,
    prihláste sa na odber nášho bulletinu, aby ste dostávali aktualizácie priamo do vašej doručenej pošty