ゲート
Jiangsu Donghai Semiconductor Co.、Ltd
あなたはここにいます: » 製品 » モスフェット » 400V-1500V N MOS » 5A 500V N-Channel Enhancement Mode PowerMOSFET 5N50

読み込み

共有:
Facebook共有ボタン
Twitter共有ボタン
ライン共有ボタン
WeChat共有ボタン
LinkedIn共有ボタン
Pinterest共有ボタン
WhatsApp共有ボタン
Sharethis共有ボタン

5A 500V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 5N50

5A 500V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
可用性:
数量:
  • 5N50

  • WXDH

5A 500V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET


1説明

これらのNチャネル強化VDMOSFETは、伝導損失を減らし、スイッチングパフォーマンスを改善し、雪崩エネルギーを強化する自己整合した平面技術によって得られます。 ROHS標準と一致しています。


2つの機能 

●高速スイッチング

●ESDは機能を改善しました 

●抵抗が少ない(RDSON≤1.6Ω) 

●低ゲートチャージ(typ:12.6nc)

●低い逆転送容量(typ:4pf)

●100%単一パルス雪崩エネルギーテスト

●100%ΔVDSテスト


3つのアプリケーション 

●システムの小型化とより高い効率のために、さまざまな電源スイッチング回路で使用されます。 

●電子バラストとアダプターの電源スイッチ回路


VDSS  rds(on)(タイプ) id 
500V 1.4Ω 5a



前の: 
次: 
  • ニュースレターにサインアップしてください
  • 私たちのニュースレターにサインアップして、最新
    情報を受信トレイに直接入手する準備をしてください