5A 500V N-channel โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ MOSFET 5N50

5A 500V N-channel โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ MOSFET พลังงาน

1 คำอธิบาย

vdmosfets ที่ปรับปรุงด้วย N-channel เหล่านี้ได้มาจากเทคโนโลยีระนาบแนวระนาบในตัว ซึ่งลดการสูญเสียการนำไฟฟ้า ปรับปรุงประสิทธิภาพการสลับ และเพิ่มพลังงานหิมะถล่ม ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน RoHS

2 คุณสมบัติ 

● การสลับอย่างรวดเร็ว

● ความสามารถที่ได้รับการปรับปรุง ESD 

● ความต้านทานต่ำ (Rdson≤1.6Ω) 

● ค่าเกตต่ำ (ประเภท: 12.6nC)

● ความจุการถ่ายโอนแบบย้อนกลับต่ำ (ประเภท: 4pF)

● การทดสอบพลังงานหิมะถล่มพัลส์เดี่ยว 100%

● การทดสอบ ΔVDS 100%

3 การใช้งาน 

● ใช้ในวงจรสวิตชิ่งกำลังต่างๆ เพื่อการย่อขนาดระบบและประสิทธิภาพที่สูงขึ้น 

● วงจรสวิตช์ไฟของบัลลาสต์อิเล็กตรอนและอะแดปเตอร์

วีดีเอสเอส	RDS (เปิด) (ประเภท)	บัตรประจำตัวประชาชน
500V	1.4 โอห์ม	5เอ