5A 500 V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET 5N50

5A 500 V N-kanavan parannusmoodi Power Mosfet

1 Kuvaus

Nämä N-kanavainen parannetut VDMOSFET: t saavat itse kohdistuneella tasomaisella tekniikalla, joka vähentää johtamishäviötä, parantaa kytkentä suorituskykyä ja parantaa lumivyöryenergiaa. Joka sopii ROHS -standardiin.

2 ominaisuutta 

● Nopea kytkentä

● ESD parannettu kyky 

● Matala vastus (rdson≤1,6Ω) 

● Matala portin varaus (TYP: 12.6NC)

● Matala käänteinen siirtokapasitions (TYP: 4PF)

● 100% yhden pulssin lumivyöryenergiatesti

● 100% AVDD -testi

3 sovellusta 

● Käytetään erilaisissa virrankytkentäpiirissä järjestelmän miniaturisointiin ja suurempaan tehokkuuteen. 

● Elektronien liitäntälaitteen ja sovittimen virtakytkin piiri